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[프로필] 신유균 삼성전자 반도체연구소 플래시TD팀장 부사장

  • [데일리안] 입력 2020.01.21 14:45
  • 수정 2020.01.21 14:45
  • 김은경 기자 (ek@dailian.co.kr)

신유균 삼성전자 반도체연구소 플래시TD팀장 부사장.ⓒ삼성전자신유균 삼성전자 반도체연구소 플래시TD팀장 부사장.ⓒ삼성전자

삼성전자는 21일 2020년 정기 임원인사를 통해 신유균 삼성전자 반도체연구소 플래시(Flash)TD팀장을 부사장으로 승진시켰다고 밝혔다.


신 부사장은 플레이너(Planar), V-낸드(Nand) 등 Flash 전 제품에 대한 단위공정과 인터그레이션 분야 최고 수준의 전문가로 V-Nand 선행제품 개발을 주도했다.


▲1965년 ▲서울대 금속공학 학사-카이스트 재료공학 석사·박사 ▲2009년 삼성전자 메모리사업부 공정개발팀 ▲2010년 삼성전자 반도체연구소 공정개발팀 공정개발3P/J ▲2013년 삼성전자 반도체연구소 공정개발팀 공정개발2P/J장 ▲2014년 삼성전자 반도체연구소 메모리TD팀 Flash TD팀 ▲2020년 현재 삼성전자 반도체연구소 메모리TD실 Flash TD팀장

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