SK하이닉스, '9.4조' 짜리 용인 클러스터 1기 팹 첫 삽

1기 팹 2027년 5월 준공 목표

총 4기 팹 순차 조성

차세대 D램 메모리 생산 거점 구축

SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 건설 현장.ⓒSK하이닉스 뉴스룸

SK하이닉스가 경기도 용인 반도체 클러스터 내 1기 팹(fab·반도체 생산공장)의 첫 삽을 떴다.

25일 SK하이닉스 뉴스룸에 따르면 SK하이닉스는 전날 용인 반도체 클러스터 1기 팹의 본격 착공에 들어갔다. 당초 다음달부터 1기 팹 착공에 돌입할 계획이었으나 용인시가 예정보다 이른 지난 21일 건축을 허가하면서 착공 시점을 앞당겼다.

용인시는 지난해 4월 SK하이닉스와 ‘생산라인 조기 착공 추진과 지역 건설산업 활성화를 위한 업무협약’을 맺은 데 이어 건축허가 태스크포스(TF)를 구성해 인허가 절차에 속도를 냈다.

용인 반도체 클러스터는 총 415만㎡ (약 126만 평) 규모 부지에 SK하이닉스 팹 약 60만 평, 소부장 업체 협력화단지 14만 평, 인프라 부지 12만 평으로 용인시 처인구 원삼면에 조성되는 반도체 산업단지다.

SK하이닉스는 용인 클러스터에 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정이다. 1기 팹은 2027년 5월 준공을 목표로 하고 있다. SK하이닉스는 이곳을 HBM을 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점으로 삼는다. 향후 급증하는 AI 메모리 반도체 수요에 적기에 대응해 회사의 중장기 성장 기반을 주도할 예정이다.

SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 ‘미니팹’을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다. 미니팹은 반도체 소부장 등을 실증하기 위해 300㎜ 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설로, 이를 통해 실제 생산 현장과 유사한 환경을 협력사에 제공해 자체 기술 완성도를 높일 수 있도록 지원한다는 방침이다.

최태원 SK그룹 회장은 지난 2023년 9월 부지 조성 작업 중인 용인 클러스터 현장을 방문해 "용인 클러스터는 SK하이닉스 역사상 가장 계획적이고도 전략적으로 추진되는 프로젝트"라고 강조한 바 있다.한편 SK하이닉스는 지난해 7월 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터의 1기 팹과 업무 시설을 건설하는 데 약 9조4000억원을 투자하기로 결정했다.

최근에는 1기 팹 착공에 맞춰 시공(플랜트 건축·설비·전기·기계·배관), 사업관리, 안전관리 등 인프라 구축을 담당할 경력 사원 채용에 나서기도 했다. SK하이닉스는 용인 팹 외에도 늘어나는 HBM 수요에 대응하기 위해 올해 말 준공을 목표로 청주에 HBM 생산기지인 M15X를 짓는 등 생산능력(캐파)을 확대 중이다.